ELETRÔNICA ANALÓGICA I
Na análise de circuitos em funcionamento , dentre os instrumentos de bancada temo o osciloscópio, empregado para análise de forma de onda dos sinais sua amplitude e frequência. Na figura abaixo, considerando que o osciloscópio em questão foi ajustado para 5v/div na escala vertical e 500µS/div na escala Horizontal, Qual é a Tensão Eficaz RMS e a Frequência dos sinais vistos no osciloscópio abaixo.:
Sinal 1.: VRMS = 21,2 V e F = 160 Hz , Sinal 2.: VRMS = 22 V e F = 10 Hz, Sinal 3.: VRMS = 7 V e F = 500 Hz
Sinal 1.: VRMS = 21,2 V e F = 160 Hz , Sinal 2.: VRMS = 19 V e F = 1000 Hz, Sinal 3.: VRMS = 7,07 e F = 500 Hz
Sinal 1.: VRMS = 21,2 V e F = 160 Hz , Sinal 2.: VRMS = 21,2 V e F = 160 Hz, Sinal 3.: VRMS = 21,2 V e F = 160 Hz
Sinal 1.: VRMS = 10,06 V e F = 60 Hz , Sinal 2.: VRMS = 21,2 V e F = 160 Hz, Sinal 3.: VRMS = 21,2 V e F = 160 Hz
Sinal 1.: VRMS = 21,2 V e F = 160 Hz , Sinal 2.: VRMS = 10,6 V e F = 105,26Hz, Sinal 3.: VRMS = 7,07V e F = 500 Hz
Escolha a alternativa que representa o ponto de operação do transistor no circuito abaixo:
VCE = 7,52V; Icq = 0,66mA
VCE = 6,52V; Icq = 1,66mA
VCE = 7,52V; Icq = 1,66mA
VCE = 7,52V; Icq = 1,80mA
VCE = 5,52V; Icq = 1,60mA
Dado o circuito abaixo responda:
(a) Determine o valor médio (cc) de saída para o circuito da figura abaixo.
(b) Repita o item (a) se o diodo ideal for substituído por um diodo de silício.
(c) Repita os itens (a) e (b) se Vp (tensão de pico) for aumentada para 220V em duas situações. Uma considerando a queda do diodo e outra não. Compare os resultados.
(a) 5,724 V; (b) 5,5014 V ; (c) 70,03 V (I) aproximadamente 69,81 V (II)
(a) -5,724 V; (b) -5,5014 V ; (c) -70,03 V (I) aproximadamente -69,81 (II)
(a) -7,834 V; (b) -7,827 V ; (c) -70,03 (I) aproximadamente -69,81 (II)
(a) -5,724 V; (b) -5,5014 V ; (c) -69,96 V (I) divergente de -84,53 V (II)
(a) -5,724 V; (b) -5,5014 V ; (c) -220 V (I) aproximadamente -201 V (II)
Um retificador em ponte de onda completa com uma entrada senoidal de 220 V eficazes possui um resistor de carga de 1,5 kOhm.
(a) Se são empregados diodos de germânio, qual é a tensão cc disponível na carga?
(b) Determine a especificação do PIV necessário para cada diodo.
(c) Encontre a corrente máxima através de cada diodo durante a condução.
(d) Qual é a máxima potênciadisspada por cada diodo?
(a) 201,06V; (b) >=190,22V; (c) 202,32mA; (c) 150,82mW
(a) 197,41 V; (b) >=311 V; (c) 206,93 mA; (d) 62,08 mW
(a) 201,06V; (b) <=190,22V; (c) 202,32mA; (c) 150,82mW
(a) 197,41 V; (b) < 311 V; (c) 206,93 mA; (d) 62,08 mW
(a) 120V; (b) =120V; (c) 0mA; (c) 0mW
Alguns tipos de transistores possuem especificações com Betas (β) na faixa de 50 a 150. Considerando esta condição, encontre a faixa de valores de alfas (α).
α = 1,006 a 1,02
α = 50 a 150
α = 0,980 a 0,993
α = 0,333 a 3
α = 0,95 a 0,97
Um circuito equivalente é uma combinação de elementos adequadamente escolhidos para melhor representar as caracteristicas reiais de um dispositivo ou elemento. O diodo pode ser representado através de três modelos: o linear por partes, o modelo simplificado (mais utilizado) e o modelo ideal. Quais são os elemento(s) que representa(m) o modelo simplificado:
Diodo ideal + resistencia CA média + bateria polarizada como queda de tensão
Diodo ideal + bateria polarizada como queda de tensão + capacitor em paralelo com o diodo
Diodo ideal + bateria polarizada como elevação de tensão
Diodo ideal + resistencia CA média + bateria polarizada como elevação de tensão
Diodo ideal + bateria polarizada como queda de tensão
Considerando um circuito com TJB polarizado com realimentação de coletor e base e resistor de emissor, escolha a alternativa que exprime a relação entre corrente de emissor e corrente de coletor:
Ic = 0,99Ie
Ic = 0,84Ie
Ic = Ie * Ib
Ic ≈ Ie
Ic = 0,80Ie
Para o circuito mostrado abaixo, encontre a tensão (Vo), a corrente total (I) e as correntes (I1) e (I2).
Vo = 0,7V ; I1 = 28,18mA ; I1 = 28,18mA ; I2 = 0A
Vo = 0,7V ; I1 = 28,18mA ; I1 = 14,09mA ; I2 = 14,09mA
Vo = 0V ; I1 = 30,3mA ; I1 = 15,15mA ; I2 = 15,15mA
Vo = 0,3V ; I1 = 29,39mA ; I1 = 14,7mA ; I2 = 14,7mA
Vo = 0,7V ; I1 = 28,18mA ; I1 = 0A; I2 = 28,18mA
Escolha a alternativa que completa a frase a seguir: "Em materiais semicondutores do tipo-P existe a presença de ____________ ou ______________, enquanto que nos materiais semicondutores do tipo-N a presença de elétrons livres"
fontes ou elétrons
buracos ou lacunas
buracos ou desvios
elétrons ou buracos
pósitrons ou nêutrons
Para a configuração por divisor de tensão da figura abaixo, determine:
(a) IBQ
(b) ICQ
(c) VCEQ
(d) VC
(e) VE
(f) VB
(a) 12,05uA; (b) 2,3mA; (c) 6,05V; (d) 9,35V; (e) 1,45 V; (f) 4,05 V
(a) -24,50uA; (b) -1,96mA; (c) 7,02V; (d) 8,37V; (e) 1,35 V; (f) 2,05 V
(a) -48,2 uA; (b) -1,15mA; (c) -9,04V; (d) -10,45V; (e) -2,4 V; (f) -3,05 V
(a) 48,2 uA; (b) 1,15mA; (c) 9,04V; (d) 10,45V; (e) 2,4 V; (f) 3,05 V
(a) 24,50uA; (b) 1,96mA; (c) 7,02V; (d) 8,37V; (e) 1,35 V; (f) 2,05 V
Sinal 1.: VRMS = 21,2 V e F = 160 Hz , Sinal 2.: VRMS = 22 V e F = 10 Hz, Sinal 3.: VRMS = 7 V e F = 500 Hz
Sinal 1.: VRMS = 21,2 V e F = 160 Hz , Sinal 2.: VRMS = 19 V e F = 1000 Hz, Sinal 3.: VRMS = 7,07 e F = 500 Hz
Sinal 1.: VRMS = 21,2 V e F = 160 Hz , Sinal 2.: VRMS = 21,2 V e F = 160 Hz, Sinal 3.: VRMS = 21,2 V e F = 160 Hz
Sinal 1.: VRMS = 10,06 V e F = 60 Hz , Sinal 2.: VRMS = 21,2 V e F = 160 Hz, Sinal 3.: VRMS = 21,2 V e F = 160 Hz
Sinal 1.: VRMS = 21,2 V e F = 160 Hz , Sinal 2.: VRMS = 10,6 V e F = 105,26Hz, Sinal 3.: VRMS = 7,07V e F = 500 Hz
Escolha a alternativa que representa o ponto de operação do transistor no circuito abaixo:
VCE = 7,52V; Icq = 0,66mA
VCE = 6,52V; Icq = 1,66mA
VCE = 7,52V; Icq = 1,66mA
VCE = 7,52V; Icq = 1,80mA
VCE = 5,52V; Icq = 1,60mA
Dado o circuito abaixo responda:
(a) Determine o valor médio (cc) de saída para o circuito da figura abaixo.
(b) Repita o item (a) se o diodo ideal for substituído por um diodo de silício.
(c) Repita os itens (a) e (b) se Vp (tensão de pico) for aumentada para 220V em duas situações. Uma considerando a queda do diodo e outra não. Compare os resultados.
(a) 5,724 V; (b) 5,5014 V ; (c) 70,03 V (I) aproximadamente 69,81 V (II)
(a) -5,724 V; (b) -5,5014 V ; (c) -70,03 V (I) aproximadamente -69,81 (II)
(a) -7,834 V; (b) -7,827 V ; (c) -70,03 (I) aproximadamente -69,81 (II)
(a) -5,724 V; (b) -5,5014 V ; (c) -69,96 V (I) divergente de -84,53 V (II)
(a) -5,724 V; (b) -5,5014 V ; (c) -220 V (I) aproximadamente -201 V (II)
Um retificador em ponte de onda completa com uma entrada senoidal de 220 V eficazes possui um resistor de carga de 1,5 kOhm.
(a) Se são empregados diodos de germânio, qual é a tensão cc disponível na carga?
(b) Determine a especificação do PIV necessário para cada diodo.
(c) Encontre a corrente máxima através de cada diodo durante a condução.
(d) Qual é a máxima potênciadisspada por cada diodo?
(a) 201,06V; (b) >=190,22V; (c) 202,32mA; (c) 150,82mW
(a) 197,41 V; (b) >=311 V; (c) 206,93 mA; (d) 62,08 mW
(a) 201,06V; (b) <=190,22V; (c) 202,32mA; (c) 150,82mW
(a) 197,41 V; (b) < 311 V; (c) 206,93 mA; (d) 62,08 mW
(a) 120V; (b) =120V; (c) 0mA; (c) 0mW
Alguns tipos de transistores possuem especificações com Betas (β) na faixa de 50 a 150. Considerando esta condição, encontre a faixa de valores de alfas (α).
α = 1,006 a 1,02
α = 50 a 150
α = 0,980 a 0,993
α = 0,333 a 3
α = 0,95 a 0,97
Um circuito equivalente é uma combinação de elementos adequadamente escolhidos para melhor representar as caracteristicas reiais de um dispositivo ou elemento. O diodo pode ser representado através de três modelos: o linear por partes, o modelo simplificado (mais utilizado) e o modelo ideal. Quais são os elemento(s) que representa(m) o modelo simplificado:
Diodo ideal + resistencia CA média + bateria polarizada como queda de tensão
Diodo ideal + bateria polarizada como queda de tensão + capacitor em paralelo com o diodo
Diodo ideal + bateria polarizada como elevação de tensão
Diodo ideal + resistencia CA média + bateria polarizada como elevação de tensão
Diodo ideal + bateria polarizada como queda de tensão
Considerando um circuito com TJB polarizado com realimentação de coletor e base e resistor de emissor, escolha a alternativa que exprime a relação entre corrente de emissor e corrente de coletor:
Ic = 0,99Ie
Ic = 0,84Ie
Ic = Ie * Ib
Ic ≈ Ie
Ic = 0,80Ie
Para o circuito mostrado abaixo, encontre a tensão (Vo), a corrente total (I) e as correntes (I1) e (I2).
Vo = 0,7V ; I1 = 28,18mA ; I1 = 28,18mA ; I2 = 0A
Vo = 0,7V ; I1 = 28,18mA ; I1 = 14,09mA ; I2 = 14,09mA
Vo = 0V ; I1 = 30,3mA ; I1 = 15,15mA ; I2 = 15,15mA
Vo = 0,3V ; I1 = 29,39mA ; I1 = 14,7mA ; I2 = 14,7mA
Vo = 0,7V ; I1 = 28,18mA ; I1 = 0A; I2 = 28,18mA
Escolha a alternativa que completa a frase a seguir: "Em materiais semicondutores do tipo-P existe a presença de ____________ ou ______________, enquanto que nos materiais semicondutores do tipo-N a presença de elétrons livres"
fontes ou elétrons
buracos ou lacunas
buracos ou desvios
elétrons ou buracos
pósitrons ou nêutrons
Para a configuração por divisor de tensão da figura abaixo, determine:
(a) IBQ
(b) ICQ
(c) VCEQ
(d) VC
(e) VE
(f) VB
(a) 12,05uA; (b) 2,3mA; (c) 6,05V; (d) 9,35V; (e) 1,45 V; (f) 4,05 V
(a) -24,50uA; (b) -1,96mA; (c) 7,02V; (d) 8,37V; (e) 1,35 V; (f) 2,05 V
(a) -48,2 uA; (b) -1,15mA; (c) -9,04V; (d) -10,45V; (e) -2,4 V; (f) -3,05 V
(a) 48,2 uA; (b) 1,15mA; (c) 9,04V; (d) 10,45V; (e) 2,4 V; (f) 3,05 V
(a) 24,50uA; (b) 1,96mA; (c) 7,02V; (d) 8,37V; (e) 1,35 V; (f) 2,05 V
VCE = 7,52V; Icq = 0,66mA
VCE = 6,52V; Icq = 1,66mA
VCE = 7,52V; Icq = 1,66mA
VCE = 7,52V; Icq = 1,80mA
VCE = 5,52V; Icq = 1,60mA
Dado o circuito abaixo responda:
(a) Determine o valor médio (cc) de saída para o circuito da figura abaixo.
(b) Repita o item (a) se o diodo ideal for substituído por um diodo de silício.
(c) Repita os itens (a) e (b) se Vp (tensão de pico) for aumentada para 220V em duas situações. Uma considerando a queda do diodo e outra não. Compare os resultados.
(a) 5,724 V; (b) 5,5014 V ; (c) 70,03 V (I) aproximadamente 69,81 V (II)
(a) -5,724 V; (b) -5,5014 V ; (c) -70,03 V (I) aproximadamente -69,81 (II)
(a) -7,834 V; (b) -7,827 V ; (c) -70,03 (I) aproximadamente -69,81 (II)
(a) -5,724 V; (b) -5,5014 V ; (c) -69,96 V (I) divergente de -84,53 V (II)
(a) -5,724 V; (b) -5,5014 V ; (c) -220 V (I) aproximadamente -201 V (II)
Um retificador em ponte de onda completa com uma entrada senoidal de 220 V eficazes possui um resistor de carga de 1,5 kOhm.
(a) Se são empregados diodos de germânio, qual é a tensão cc disponível na carga?
(b) Determine a especificação do PIV necessário para cada diodo.
(c) Encontre a corrente máxima através de cada diodo durante a condução.
(d) Qual é a máxima potênciadisspada por cada diodo?
(a) 201,06V; (b) >=190,22V; (c) 202,32mA; (c) 150,82mW
(a) 197,41 V; (b) >=311 V; (c) 206,93 mA; (d) 62,08 mW
(a) 201,06V; (b) <=190,22V; (c) 202,32mA; (c) 150,82mW
(a) 197,41 V; (b) < 311 V; (c) 206,93 mA; (d) 62,08 mW
(a) 120V; (b) =120V; (c) 0mA; (c) 0mW
Alguns tipos de transistores possuem especificações com Betas (β) na faixa de 50 a 150. Considerando esta condição, encontre a faixa de valores de alfas (α).
α = 1,006 a 1,02
α = 50 a 150
α = 0,980 a 0,993
α = 0,333 a 3
α = 0,95 a 0,97
Um circuito equivalente é uma combinação de elementos adequadamente escolhidos para melhor representar as caracteristicas reiais de um dispositivo ou elemento. O diodo pode ser representado através de três modelos: o linear por partes, o modelo simplificado (mais utilizado) e o modelo ideal. Quais são os elemento(s) que representa(m) o modelo simplificado:
Diodo ideal + resistencia CA média + bateria polarizada como queda de tensão
Diodo ideal + bateria polarizada como queda de tensão + capacitor em paralelo com o diodo
Diodo ideal + bateria polarizada como elevação de tensão
Diodo ideal + resistencia CA média + bateria polarizada como elevação de tensão
Diodo ideal + bateria polarizada como queda de tensão
Considerando um circuito com TJB polarizado com realimentação de coletor e base e resistor de emissor, escolha a alternativa que exprime a relação entre corrente de emissor e corrente de coletor:
Ic = 0,99Ie
Ic = 0,84Ie
Ic = Ie * Ib
Ic ≈ Ie
Ic = 0,80Ie
Para o circuito mostrado abaixo, encontre a tensão (Vo), a corrente total (I) e as correntes (I1) e (I2).
Vo = 0,7V ; I1 = 28,18mA ; I1 = 28,18mA ; I2 = 0A
Vo = 0,7V ; I1 = 28,18mA ; I1 = 14,09mA ; I2 = 14,09mA
Vo = 0V ; I1 = 30,3mA ; I1 = 15,15mA ; I2 = 15,15mA
Vo = 0,3V ; I1 = 29,39mA ; I1 = 14,7mA ; I2 = 14,7mA
Vo = 0,7V ; I1 = 28,18mA ; I1 = 0A; I2 = 28,18mA
Escolha a alternativa que completa a frase a seguir: "Em materiais semicondutores do tipo-P existe a presença de ____________ ou ______________, enquanto que nos materiais semicondutores do tipo-N a presença de elétrons livres"
fontes ou elétrons
buracos ou lacunas
buracos ou desvios
elétrons ou buracos
pósitrons ou nêutrons
Para a configuração por divisor de tensão da figura abaixo, determine:
(a) IBQ
(b) ICQ
(c) VCEQ
(d) VC
(e) VE
(f) VB
(a) 12,05uA; (b) 2,3mA; (c) 6,05V; (d) 9,35V; (e) 1,45 V; (f) 4,05 V
(a) -24,50uA; (b) -1,96mA; (c) 7,02V; (d) 8,37V; (e) 1,35 V; (f) 2,05 V
(a) -48,2 uA; (b) -1,15mA; (c) -9,04V; (d) -10,45V; (e) -2,4 V; (f) -3,05 V
(a) 48,2 uA; (b) 1,15mA; (c) 9,04V; (d) 10,45V; (e) 2,4 V; (f) 3,05 V
(a) 24,50uA; (b) 1,96mA; (c) 7,02V; (d) 8,37V; (e) 1,35 V; (f) 2,05 V
(a) 5,724 V; (b) 5,5014 V ; (c) 70,03 V (I) aproximadamente 69,81 V (II)
(a) -5,724 V; (b) -5,5014 V ; (c) -70,03 V (I) aproximadamente -69,81 (II)
(a) -7,834 V; (b) -7,827 V ; (c) -70,03 (I) aproximadamente -69,81 (II)
(a) -5,724 V; (b) -5,5014 V ; (c) -69,96 V (I) divergente de -84,53 V (II)
(a) -5,724 V; (b) -5,5014 V ; (c) -220 V (I) aproximadamente -201 V (II)
Um retificador em ponte de onda completa com uma entrada senoidal de 220 V eficazes possui um resistor de carga de 1,5 kOhm.
(a) Se são empregados diodos de germânio, qual é a tensão cc disponível na carga?
(b) Determine a especificação do PIV necessário para cada diodo.
(c) Encontre a corrente máxima através de cada diodo durante a condução.
(d) Qual é a máxima potênciadisspada por cada diodo?
(a) 201,06V; (b) >=190,22V; (c) 202,32mA; (c) 150,82mW
(a) 197,41 V; (b) >=311 V; (c) 206,93 mA; (d) 62,08 mW
(a) 201,06V; (b) <=190,22V; (c) 202,32mA; (c) 150,82mW
(a) 197,41 V; (b) < 311 V; (c) 206,93 mA; (d) 62,08 mW
(a) 120V; (b) =120V; (c) 0mA; (c) 0mW
Alguns tipos de transistores possuem especificações com Betas (β) na faixa de 50 a 150. Considerando esta condição, encontre a faixa de valores de alfas (α).
α = 1,006 a 1,02
α = 50 a 150
α = 0,980 a 0,993
α = 0,333 a 3
α = 0,95 a 0,97
Um circuito equivalente é uma combinação de elementos adequadamente escolhidos para melhor representar as caracteristicas reiais de um dispositivo ou elemento. O diodo pode ser representado através de três modelos: o linear por partes, o modelo simplificado (mais utilizado) e o modelo ideal. Quais são os elemento(s) que representa(m) o modelo simplificado:
Diodo ideal + resistencia CA média + bateria polarizada como queda de tensão
Diodo ideal + bateria polarizada como queda de tensão + capacitor em paralelo com o diodo
Diodo ideal + bateria polarizada como elevação de tensão
Diodo ideal + resistencia CA média + bateria polarizada como elevação de tensão
Diodo ideal + bateria polarizada como queda de tensão
Considerando um circuito com TJB polarizado com realimentação de coletor e base e resistor de emissor, escolha a alternativa que exprime a relação entre corrente de emissor e corrente de coletor:
Ic = 0,99Ie
Ic = 0,84Ie
Ic = Ie * Ib
Ic ≈ Ie
Ic = 0,80Ie
Para o circuito mostrado abaixo, encontre a tensão (Vo), a corrente total (I) e as correntes (I1) e (I2).
Vo = 0,7V ; I1 = 28,18mA ; I1 = 28,18mA ; I2 = 0A
Vo = 0,7V ; I1 = 28,18mA ; I1 = 14,09mA ; I2 = 14,09mA
Vo = 0V ; I1 = 30,3mA ; I1 = 15,15mA ; I2 = 15,15mA
Vo = 0,3V ; I1 = 29,39mA ; I1 = 14,7mA ; I2 = 14,7mA
Vo = 0,7V ; I1 = 28,18mA ; I1 = 0A; I2 = 28,18mA
Escolha a alternativa que completa a frase a seguir: "Em materiais semicondutores do tipo-P existe a presença de ____________ ou ______________, enquanto que nos materiais semicondutores do tipo-N a presença de elétrons livres"
fontes ou elétrons
buracos ou lacunas
buracos ou desvios
elétrons ou buracos
pósitrons ou nêutrons
Para a configuração por divisor de tensão da figura abaixo, determine:
(a) IBQ
(b) ICQ
(c) VCEQ
(d) VC
(e) VE
(f) VB
(a) 12,05uA; (b) 2,3mA; (c) 6,05V; (d) 9,35V; (e) 1,45 V; (f) 4,05 V
(a) -24,50uA; (b) -1,96mA; (c) 7,02V; (d) 8,37V; (e) 1,35 V; (f) 2,05 V
(a) -48,2 uA; (b) -1,15mA; (c) -9,04V; (d) -10,45V; (e) -2,4 V; (f) -3,05 V
(a) 48,2 uA; (b) 1,15mA; (c) 9,04V; (d) 10,45V; (e) 2,4 V; (f) 3,05 V
(a) 24,50uA; (b) 1,96mA; (c) 7,02V; (d) 8,37V; (e) 1,35 V; (f) 2,05 V
(a) 201,06V; (b) >=190,22V; (c) 202,32mA; (c) 150,82mW
(a) 197,41 V; (b) >=311 V; (c) 206,93 mA; (d) 62,08 mW
(a) 201,06V; (b) <=190,22V; (c) 202,32mA; (c) 150,82mW
(a) 197,41 V; (b) < 311 V; (c) 206,93 mA; (d) 62,08 mW
(a) 120V; (b) =120V; (c) 0mA; (c) 0mW
Alguns tipos de transistores possuem especificações com Betas (β) na faixa de 50 a 150. Considerando esta condição, encontre a faixa de valores de alfas (α).
α = 1,006 a 1,02
α = 50 a 150
α = 0,980 a 0,993
α = 0,333 a 3
α = 0,95 a 0,97
Um circuito equivalente é uma combinação de elementos adequadamente escolhidos para melhor representar as caracteristicas reiais de um dispositivo ou elemento. O diodo pode ser representado através de três modelos: o linear por partes, o modelo simplificado (mais utilizado) e o modelo ideal. Quais são os elemento(s) que representa(m) o modelo simplificado:
Diodo ideal + resistencia CA média + bateria polarizada como queda de tensão
Diodo ideal + bateria polarizada como queda de tensão + capacitor em paralelo com o diodo
Diodo ideal + bateria polarizada como elevação de tensão
Diodo ideal + resistencia CA média + bateria polarizada como elevação de tensão
Diodo ideal + bateria polarizada como queda de tensão
Considerando um circuito com TJB polarizado com realimentação de coletor e base e resistor de emissor, escolha a alternativa que exprime a relação entre corrente de emissor e corrente de coletor:
Ic = 0,99Ie
Ic = 0,84Ie
Ic = Ie * Ib
Ic ≈ Ie
Ic = 0,80Ie
Para o circuito mostrado abaixo, encontre a tensão (Vo), a corrente total (I) e as correntes (I1) e (I2).
Vo = 0,7V ; I1 = 28,18mA ; I1 = 28,18mA ; I2 = 0A
Vo = 0,7V ; I1 = 28,18mA ; I1 = 14,09mA ; I2 = 14,09mA
Vo = 0V ; I1 = 30,3mA ; I1 = 15,15mA ; I2 = 15,15mA
Vo = 0,3V ; I1 = 29,39mA ; I1 = 14,7mA ; I2 = 14,7mA
Vo = 0,7V ; I1 = 28,18mA ; I1 = 0A; I2 = 28,18mA
Escolha a alternativa que completa a frase a seguir: "Em materiais semicondutores do tipo-P existe a presença de ____________ ou ______________, enquanto que nos materiais semicondutores do tipo-N a presença de elétrons livres"
fontes ou elétrons
buracos ou lacunas
buracos ou desvios
elétrons ou buracos
pósitrons ou nêutrons
Para a configuração por divisor de tensão da figura abaixo, determine:
(a) IBQ
(b) ICQ
(c) VCEQ
(d) VC
(e) VE
(f) VB
(a) 12,05uA; (b) 2,3mA; (c) 6,05V; (d) 9,35V; (e) 1,45 V; (f) 4,05 V
(a) -24,50uA; (b) -1,96mA; (c) 7,02V; (d) 8,37V; (e) 1,35 V; (f) 2,05 V
(a) -48,2 uA; (b) -1,15mA; (c) -9,04V; (d) -10,45V; (e) -2,4 V; (f) -3,05 V
(a) 48,2 uA; (b) 1,15mA; (c) 9,04V; (d) 10,45V; (e) 2,4 V; (f) 3,05 V
(a) 24,50uA; (b) 1,96mA; (c) 7,02V; (d) 8,37V; (e) 1,35 V; (f) 2,05 V
α = 1,006 a 1,02
α = 50 a 150
α = 0,980 a 0,993
α = 0,333 a 3
α = 0,95 a 0,97
Um circuito equivalente é uma combinação de elementos adequadamente escolhidos para melhor representar as caracteristicas reiais de um dispositivo ou elemento. O diodo pode ser representado através de três modelos: o linear por partes, o modelo simplificado (mais utilizado) e o modelo ideal. Quais são os elemento(s) que representa(m) o modelo simplificado:
Diodo ideal + resistencia CA média + bateria polarizada como queda de tensão
Diodo ideal + bateria polarizada como queda de tensão + capacitor em paralelo com o diodo
Diodo ideal + bateria polarizada como elevação de tensão
Diodo ideal + resistencia CA média + bateria polarizada como elevação de tensão
Diodo ideal + bateria polarizada como queda de tensão
Considerando um circuito com TJB polarizado com realimentação de coletor e base e resistor de emissor, escolha a alternativa que exprime a relação entre corrente de emissor e corrente de coletor:
Ic = 0,99Ie
Ic = 0,84Ie
Ic = Ie * Ib
Ic ≈ Ie
Ic = 0,80Ie
Para o circuito mostrado abaixo, encontre a tensão (Vo), a corrente total (I) e as correntes (I1) e (I2).
Vo = 0,7V ; I1 = 28,18mA ; I1 = 28,18mA ; I2 = 0A
Vo = 0,7V ; I1 = 28,18mA ; I1 = 14,09mA ; I2 = 14,09mA
Vo = 0V ; I1 = 30,3mA ; I1 = 15,15mA ; I2 = 15,15mA
Vo = 0,3V ; I1 = 29,39mA ; I1 = 14,7mA ; I2 = 14,7mA
Vo = 0,7V ; I1 = 28,18mA ; I1 = 0A; I2 = 28,18mA
Escolha a alternativa que completa a frase a seguir: "Em materiais semicondutores do tipo-P existe a presença de ____________ ou ______________, enquanto que nos materiais semicondutores do tipo-N a presença de elétrons livres"
fontes ou elétrons
buracos ou lacunas
buracos ou desvios
elétrons ou buracos
pósitrons ou nêutrons
Para a configuração por divisor de tensão da figura abaixo, determine:
(a) IBQ
(b) ICQ
(c) VCEQ
(d) VC
(e) VE
(f) VB
(a) 12,05uA; (b) 2,3mA; (c) 6,05V; (d) 9,35V; (e) 1,45 V; (f) 4,05 V
(a) -24,50uA; (b) -1,96mA; (c) 7,02V; (d) 8,37V; (e) 1,35 V; (f) 2,05 V
(a) -48,2 uA; (b) -1,15mA; (c) -9,04V; (d) -10,45V; (e) -2,4 V; (f) -3,05 V
(a) 48,2 uA; (b) 1,15mA; (c) 9,04V; (d) 10,45V; (e) 2,4 V; (f) 3,05 V
(a) 24,50uA; (b) 1,96mA; (c) 7,02V; (d) 8,37V; (e) 1,35 V; (f) 2,05 V
Diodo ideal + resistencia CA média + bateria polarizada como queda de tensão
Diodo ideal + bateria polarizada como queda de tensão + capacitor em paralelo com o diodo
Diodo ideal + bateria polarizada como elevação de tensão
Diodo ideal + resistencia CA média + bateria polarizada como elevação de tensão
Diodo ideal + bateria polarizada como queda de tensão
Considerando um circuito com TJB polarizado com realimentação de coletor e base e resistor de emissor, escolha a alternativa que exprime a relação entre corrente de emissor e corrente de coletor:
Ic = 0,99Ie
Ic = 0,84Ie
Ic = Ie * Ib
Ic ≈ Ie
Ic = 0,80Ie
Para o circuito mostrado abaixo, encontre a tensão (Vo), a corrente total (I) e as correntes (I1) e (I2).
Vo = 0,7V ; I1 = 28,18mA ; I1 = 28,18mA ; I2 = 0A
Vo = 0,7V ; I1 = 28,18mA ; I1 = 14,09mA ; I2 = 14,09mA
Vo = 0V ; I1 = 30,3mA ; I1 = 15,15mA ; I2 = 15,15mA
Vo = 0,3V ; I1 = 29,39mA ; I1 = 14,7mA ; I2 = 14,7mA
Vo = 0,7V ; I1 = 28,18mA ; I1 = 0A; I2 = 28,18mA
Escolha a alternativa que completa a frase a seguir: "Em materiais semicondutores do tipo-P existe a presença de ____________ ou ______________, enquanto que nos materiais semicondutores do tipo-N a presença de elétrons livres"
fontes ou elétrons
buracos ou lacunas
buracos ou desvios
elétrons ou buracos
pósitrons ou nêutrons
Para a configuração por divisor de tensão da figura abaixo, determine:
(a) IBQ
(b) ICQ
(c) VCEQ
(d) VC
(e) VE
(f) VB
(a) 12,05uA; (b) 2,3mA; (c) 6,05V; (d) 9,35V; (e) 1,45 V; (f) 4,05 V
(a) -24,50uA; (b) -1,96mA; (c) 7,02V; (d) 8,37V; (e) 1,35 V; (f) 2,05 V
(a) -48,2 uA; (b) -1,15mA; (c) -9,04V; (d) -10,45V; (e) -2,4 V; (f) -3,05 V
(a) 48,2 uA; (b) 1,15mA; (c) 9,04V; (d) 10,45V; (e) 2,4 V; (f) 3,05 V
(a) 24,50uA; (b) 1,96mA; (c) 7,02V; (d) 8,37V; (e) 1,35 V; (f) 2,05 V
Ic = 0,99Ie
Ic = 0,84Ie
Ic = Ie * Ib
Ic ≈ Ie
Ic = 0,80Ie
Para o circuito mostrado abaixo, encontre a tensão (Vo), a corrente total (I) e as correntes (I1) e (I2).
Vo = 0,7V ; I1 = 28,18mA ; I1 = 28,18mA ; I2 = 0A
Vo = 0,7V ; I1 = 28,18mA ; I1 = 14,09mA ; I2 = 14,09mA
Vo = 0V ; I1 = 30,3mA ; I1 = 15,15mA ; I2 = 15,15mA
Vo = 0,3V ; I1 = 29,39mA ; I1 = 14,7mA ; I2 = 14,7mA
Vo = 0,7V ; I1 = 28,18mA ; I1 = 0A; I2 = 28,18mA
Escolha a alternativa que completa a frase a seguir: "Em materiais semicondutores do tipo-P existe a presença de ____________ ou ______________, enquanto que nos materiais semicondutores do tipo-N a presença de elétrons livres"
fontes ou elétrons
buracos ou lacunas
buracos ou desvios
elétrons ou buracos
pósitrons ou nêutrons
Para a configuração por divisor de tensão da figura abaixo, determine:
(a) IBQ
(b) ICQ
(c) VCEQ
(d) VC
(e) VE
(f) VB
(a) 12,05uA; (b) 2,3mA; (c) 6,05V; (d) 9,35V; (e) 1,45 V; (f) 4,05 V
(a) -24,50uA; (b) -1,96mA; (c) 7,02V; (d) 8,37V; (e) 1,35 V; (f) 2,05 V
(a) -48,2 uA; (b) -1,15mA; (c) -9,04V; (d) -10,45V; (e) -2,4 V; (f) -3,05 V
(a) 48,2 uA; (b) 1,15mA; (c) 9,04V; (d) 10,45V; (e) 2,4 V; (f) 3,05 V
(a) 24,50uA; (b) 1,96mA; (c) 7,02V; (d) 8,37V; (e) 1,35 V; (f) 2,05 V
Vo = 0,7V ; I1 = 28,18mA ; I1 = 28,18mA ; I2 = 0A
Vo = 0,7V ; I1 = 28,18mA ; I1 = 14,09mA ; I2 = 14,09mA
Vo = 0V ; I1 = 30,3mA ; I1 = 15,15mA ; I2 = 15,15mA
Vo = 0,3V ; I1 = 29,39mA ; I1 = 14,7mA ; I2 = 14,7mA
Vo = 0,7V ; I1 = 28,18mA ; I1 = 0A; I2 = 28,18mA
Escolha a alternativa que completa a frase a seguir: "Em materiais semicondutores do tipo-P existe a presença de ____________ ou ______________, enquanto que nos materiais semicondutores do tipo-N a presença de elétrons livres"
fontes ou elétrons
buracos ou lacunas
buracos ou desvios
elétrons ou buracos
pósitrons ou nêutrons
Para a configuração por divisor de tensão da figura abaixo, determine:
(a) IBQ
(b) ICQ
(c) VCEQ
(d) VC
(e) VE
(f) VB
(a) 12,05uA; (b) 2,3mA; (c) 6,05V; (d) 9,35V; (e) 1,45 V; (f) 4,05 V
(a) -24,50uA; (b) -1,96mA; (c) 7,02V; (d) 8,37V; (e) 1,35 V; (f) 2,05 V
(a) -48,2 uA; (b) -1,15mA; (c) -9,04V; (d) -10,45V; (e) -2,4 V; (f) -3,05 V
(a) 48,2 uA; (b) 1,15mA; (c) 9,04V; (d) 10,45V; (e) 2,4 V; (f) 3,05 V
(a) 24,50uA; (b) 1,96mA; (c) 7,02V; (d) 8,37V; (e) 1,35 V; (f) 2,05 V
fontes ou elétrons
buracos ou lacunas
buracos ou desvios
elétrons ou buracos
pósitrons ou nêutrons
Para a configuração por divisor de tensão da figura abaixo, determine:
(a) IBQ
(b) ICQ
(c) VCEQ
(d) VC
(e) VE
(f) VB
(a) 12,05uA; (b) 2,3mA; (c) 6,05V; (d) 9,35V; (e) 1,45 V; (f) 4,05 V
(a) -24,50uA; (b) -1,96mA; (c) 7,02V; (d) 8,37V; (e) 1,35 V; (f) 2,05 V
(a) -48,2 uA; (b) -1,15mA; (c) -9,04V; (d) -10,45V; (e) -2,4 V; (f) -3,05 V
(a) 48,2 uA; (b) 1,15mA; (c) 9,04V; (d) 10,45V; (e) 2,4 V; (f) 3,05 V
(a) 24,50uA; (b) 1,96mA; (c) 7,02V; (d) 8,37V; (e) 1,35 V; (f) 2,05 V
(a) 12,05uA; (b) 2,3mA; (c) 6,05V; (d) 9,35V; (e) 1,45 V; (f) 4,05 V
(a) -24,50uA; (b) -1,96mA; (c) 7,02V; (d) 8,37V; (e) 1,35 V; (f) 2,05 V
(a) -48,2 uA; (b) -1,15mA; (c) -9,04V; (d) -10,45V; (e) -2,4 V; (f) -3,05 V
(a) 48,2 uA; (b) 1,15mA; (c) 9,04V; (d) 10,45V; (e) 2,4 V; (f) 3,05 V
(a) 24,50uA; (b) 1,96mA; (c) 7,02V; (d) 8,37V; (e) 1,35 V; (f) 2,05 V